三星电子已在美国硅谷设立R&D实验室，专精于研发下一代3D DRAM芯片。

此实验室隶属硅谷Device Solutions America（DSA）旗下，负责管理韩国科技巨头在美的半导体产业，并助推新世代DRAM产品研发。凭借去年九月发布业界容量最大的32 Gb DDR5 DRAM芯片，运用12nm制程生产，预计产出容量高达1 TB的内存产品，为三星稳固DRAM技术的市场领先地位。

值得强调的是，Gb是DRAM存储密度单位，非GB；常见的内存卡容量通常为8GB至32GB，而服务器级内存亦有128GB，均由不同数量DRAM构成。如美光官网所示，DDR5 SDRAM产品为16Gb和24Gb两种规格，三星官网上线的则全数为16Gb规格，SK Hynix主营之品同样为16Gb。

受早前全球首次市场化的3D垂直结构NAND（3D V-NAND）的成功案例启发， 亿配芯城 三星电子致力于主导DRAM 3D垂直结构研发。去年十月，“内存技术日”活动期间，三星公布将在下次10纳米或以下的DRAM中导入新型3D架构，而非沿用2D平面结构，以突破3D垂直结构在缩小芯片体积同时提升性能的难度，预期一片芯片的容量增至逾百G。

此外，据述，三星去年在日本VLSI研讨会上分享了关于3D DRAM研究成果论文，并揭示了3D DRAM的实际半导体呈现效果图。

分析师预测，未来数年间，随着3D DRAM市场的高速增长，至2028年时该市场规模将大大超过千亿美元。在此领域，包括三星在内的各大内存芯片制造商正展开激烈竞争，力求引领市场新潮流。

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