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- 发布日期：2024-01-20 06:46 点击次数：76
今天，国内又新增1个SiC衬底项目；2024一开年，国内就有7个SiC项目传新进展，详情请往下看。
博蓝特：新建SiC衬底项目
今天（1月18日），据“丹阳延陵镇”消息，江苏省丹阳市延陵镇或将引进1个碳化硅衬底项目，项目建设方为浙江博蓝特半导体。
据介绍，延陵镇党委书记张金伟于今天会见了博蓝特董事长徐良等一行，并陪同他们实地考察了位于凤凰工业园区的2宗地块。
考察中，双方就博蓝特第三代半导体碳化硅衬底项目落地延陵镇进行了深度洽谈，博蓝特计划在延陵镇投资10亿元建设年产25万片的6-8英寸碳化硅衬底，该项目建成后预计可实现年销售收入15亿元。
企查查显示，博兰特成立于2012年，致力于GaN基LED芯片（图形化）衬底、第三代半导体材料碳化硅、MEMS智能传感器的研发及产业化。
“行家说三代半”发现，2023年4月，延陵镇已与博蓝特签订了战略合作，此次实地考察将进一步推动该碳化硅衬底项目的落地。
烁科、合盛、连城数控等多个SiC项目加速推进
2024年以来，国内多个SiC项目传新进展，包括烁科、合盛、连城数控等：
● 1月15日，诚盛科技举办了“麒思大功率器件项目发布会暨功率半导体高峰论坛”，并公布了该SiC项目的具体进度——项目位于高邮经济开发区，主要生产大功率器件、SiC、IGBT模块封测等产品，总投资9亿元。项目分两期实施，一期投入4.8 亿元，预计将于今年8月量产，可年产分立器件3.3亿只、模块120万只。
●1月15日，飞仕得在官微宣布，其“SiC器件智能动态测试装备”成功入选并被认定为浙江省首台（套）装备。
●1月10日， 亿配芯城 连城数控发布公告称，他们及下属全资子公司连科半导体拟与无锡市锡山区锡北镇人民政府签署《锡山区工业项目投资协议书》，将投资建设“第三代半导体设备研发制造项目”——该项目规划用地 100 亩，分两期实施，每期 50 亩，连科半导体计划投资不超过人民币10.50 亿元，将在无锡市投资建设半导体大硅片长晶和加工设备、SiC长晶和加工设备的研发和生产制造基地。
●1月9日，据“西安发布”消息，陕西省举行了2024年一季度重点项目开工活动，其中包括1个SiC项目。该项目聚焦研发SiC器件等高端产品及大功率晶闸管、FRD、IGCT等产品，购置离子注入机、光刻机、真空焊接炉等生产设备600余套，总建筑面积5.57万平方米。
●1月8日，华润上华发布了“6B工厂SiC & GaN FDC系统实施”公告，推进相关项目实施。企查查显示，无锡华润上华是华润微电子的子公司，成立于2017年6月，主要负责晶圆制造服务。
●1月8日，据“太原日报”消息，烁科晶体的中国电科(山西)碳化硅材料产业基地(二期)项目现在已具备设备进厂条件，预计将在1月底前开始进场设备，2024年3月可投入试生产。该项目投资5亿元，投产后可达30万片。
●1月6日，据“青橙融媒”消息，合盛硅业旗下的“年产800吨电子级碳化硅颗粒材料及60万片碳化硅切割片项目”将于3月初开始试产，3月底正式投产。该项目占地面积约为190亩，投资总额高达20亿元。